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高低溫真空探針臺(tái)有哪幾項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)呢

更新時(shí)間:2023-02-28點(diǎn)擊次數(shù):1596
高低溫真空探針臺(tái)可以對(duì)材料或器件進(jìn)行電學(xué)特性測(cè)量、光電特性測(cè)量、參數(shù)測(cè)量、高阻測(cè)量、DC測(cè)量、RF測(cè)量和微波特性測(cè)量,廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體工業(yè)(芯片、晶圓片、封裝器件)、MEMS、超導(dǎo)、電子學(xué)、物理學(xué)和材料學(xué)等領(lǐng)域。
高低溫真空探針臺(tái),是一款為晶片、器件和材料(薄膜、納米、石墨烯、電子材料、超導(dǎo)材料、鐵電材料等)提供真空和高低溫測(cè)試條件下進(jìn)行非破壞性的電學(xué)表征和測(cè)量平臺(tái)。
高低溫真空探針臺(tái)在不同測(cè)試環(huán)境、不同溫度條件下可對(duì)微結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體器件、微電子器件及材料進(jìn)行電學(xué)特性表征測(cè)試。
可進(jìn)行真空環(huán)境下的高低溫測(cè)試(4.2K~500K),可升級(jí)加載磁場(chǎng),低溫防輻射屏設(shè)計(jì),樣品臺(tái)采用高純度無氧銅制作,溫度均勻性更好,溫度傳感器采用有著良好穩(wěn)定性和重復(fù)性的PT100或者標(biāo)定過的硅二極管作為測(cè)溫裝置,支持光纖光譜特性測(cè)試,兼容高倍率金相顯微鏡,可微調(diào)移動(dòng),器件的高頻特性(支持高67GHz頻率),探針熱沉設(shè)計(jì),LD/LED/PD的光強(qiáng)/波長(zhǎng)測(cè)試,自動(dòng)流量控制,材料/器件的IV/CV特性測(cè)試等。
產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn):
防輻射屏和熱沉設(shè)計(jì)
降溫速度快,常溫降至 77k<25mins,提高測(cè)試效率
液氮自動(dòng)控制系統(tǒng),液氮流量模塊和溫度控制模塊一起聯(lián)動(dòng)共 同控制溫度 

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